項(xiàng)目概況：
隨著第三代半導(dǎo)體材料氮化鎵的突破和超高亮度藍(lán)、綠、紅、白光二極管的問(wèn)世，半導(dǎo)體采用LED作為新光源，同樣亮度下，耗電僅為普通白熾燈的1/10，使用壽命10萬(wàn)小時(shí)，是白熾燈的30倍。半導(dǎo)體燈替代傳統(tǒng)的白熾燈和熒光燈，也是大勢(shì)所趨。
本項(xiàng)目主要解決新型超高亮度AlGaInP四元系外延片產(chǎn)業(yè)化中的多量子阱穩(wěn)定生長(zhǎng)及進(jìn)一步提高發(fā)光效率等多項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)問(wèn)題，形成成本控制、成品率控制、技術(shù)管理規(guī)范、設(shè)備維護(hù)等規(guī)范。著重解決發(fā)光二極管產(chǎn)業(yè)化的穩(wěn)定性，重復(fù)性以及均勻性等關(guān)鍵問(wèn)題。
目前國(guó)內(nèi)高性能發(fā)光二極管外延片的生產(chǎn)量較少，不能滿足芯片生產(chǎn)公司的市場(chǎng)需求，這主要是由于外延片生產(chǎn)技術(shù)門檻較高的原因。國(guó)內(nèi)也有幾家公司在進(jìn)行發(fā)光二極管外延片的生產(chǎn)，但從總體上看高檔高亮度發(fā)光二極管外延片與芯片的生產(chǎn)基本上為國(guó)外廠商所壟斷。
市場(chǎng)化前景：
半導(dǎo)體燈采用發(fā)光二極管作為新光源，同樣亮度下，耗電僅為普通白熾燈的1/10，使用壽命10萬(wàn)小時(shí)，是白熾燈的30倍，由于半導(dǎo)體照明具有光電轉(zhuǎn)換效率高、節(jié)能、環(huán)保、長(zhǎng)壽命、免維護(hù)、影響速度快等優(yōu)點(diǎn)，可廣泛應(yīng)用于白光通用照明、裝飾照明、汽車等各類運(yùn)輸工具照明、交通信號(hào)顯示、背景顯示、大屏幕、特種工作照明、軍用照明及旅游、輕工產(chǎn)品等各個(gè)領(lǐng)域。
預(yù)期效果：
本項(xiàng)目完成后，紅光LED外延品制備的芯片，在20毫安工作電流下，發(fā)光波長(zhǎng)在625納米左右，發(fā)光強(qiáng)度大于120mcd，正向電壓小于2.2伏；黃綠光LED外延品制備的芯片，發(fā)光波長(zhǎng)為569納米左右，發(fā)光強(qiáng)度大于5mcd。預(yù)計(jì)，項(xiàng)目完成后，可實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)值7000萬(wàn)元，實(shí)現(xiàn)利稅500萬(wàn)元以上。
