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 相變存儲器利用電脈沖誘導存儲材料在非晶態與晶態之間切換，具有非揮發性、循環壽命長、寫入速度快、穩定性好、功耗低等優點，被業界認為是下一代存儲技術的最佳解決方案之一。上海微系統與信息技術研究所聯合中芯國際集成電路制造有限公司，選擇以嵌入式相變存儲器（PCRAM）為切入點，在國家重點研發計劃納米科技重點專項、國家科技重大專項“極大規模集成電路制造裝備及成套工藝”專項（02專項）、國家自然科學基金、中國科學院A類戰略性先導科技專項、上海市領軍人才、上海市科委等項目的資助下，經過十余年的研究，在存儲材料篩選、存儲芯片設計、PCRAM的基礎制造技術等方面取得系列重要科技進展。